基于Li-N双受主共掺杂p-ZnO的p-i-n同质结型紫外探测器
用等离子体辅助分子束外延方法在a-面蓝宝石上生长了ZnO基p—i—n同质结探测器,并研究了其光响应特性。其中的p型ZnO层是通过Li—N双受主共掺杂的方法制备的,采用金属锂和NO作为掺杂源。图1所示为器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,由图可见器件具有典型的整流特性,开启电压大约为6V,证明了p型ZnO的制备成功。图2所示为器件的光响应谱线,从图中可以看到,在OV偏压下,器件在380nm处有一个明显的响应峰值,响应度为0.45 mA/W,这为p型的制备成功提供了更充分的证据。据我们所知,这是通过Li-N双受主共掺杂方法制备ZnO同质p-i-n结构的首次报导。
分子束外延 紫外探测器 a-面蓝宝石 光响应特性
孙锋 单崇新 张振中 李炳辉 申德振 范希武
中国科学院长春光学精密与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033
国内会议
西安
中文
429-429
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）