纳米折叠InGaN/GaN多量子阱发光二极管

摘要：

以自组织Ni掩膜制作了高约1um,直径约100-300nm,柱间距约130-300nm的n-GaN纳米柱模板,并利用MOCVD法在纳米柱模板上外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的LED材料,并对其进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的LED材料光致发光(PL)谱强度是常规平面结构的2倍。测试了该外延片上制作的LED的电致发光谱,随着注入电流增加,未发现明显蓝移,表明纳米柱上外延生长的多量子阱具有较低的压电极化电场。

关键词： n—GaN 纳米柱 光致发光 电致发光 发光二极管

作者: 谭小动 陈贵锋 郝秋艳 朱建军 刘宗顺 赵德刚 张书明

作者单位: 河北工业大学材料学院,天津 300130 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 430-432

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）