高功率顶发射垂直腔面发射激光器列阵的研制
本文报道了850nm高功率垂直腔面发射激光器列阵的制备工作。为了避免衬底吸收的影响,器件采用顶发射的方式。单元器件采用六方密堆积的方式进行排列。列阵单元中心距120 μm,台面直径70 μm,分别制备了91个单元和217单元的器件,对其功率输出特性、光谱特性、功率转换效率进行了研究。在室温连续条件下,91个单元的器件功率转换效率可达23.4％;217个单元在6A下输出功率可达2184mW。这是国内首次报道顶发射的高功率垂直腔面发射激光器列阵输出功率超过2W,转换效率超过20％的实验结果。
垂直腔面发射激光器 顶发射 功率转换效率
韦欣 王青 宋国峰 陈良惠
中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京 100083
国内会议
西安
中文
435-437
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）