基于MOS结构的氧化锌发光器件的研究

摘要：

用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了Au/MgO/ZnO/MgO/ITO以及Au/MgO/ZnO/ITO两种基于MOS结构的发光器件。两种器件的伏安特性曲线都表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约为5V。采用安德森模型画出了两种器件在正向偏压下的能带图。从能带图出发,通过对两种结构的对比,阐述了其电致发光机理。对比了两种结构器件在电注入情况下的发光光谱,发现MgO绝缘层的引入可以显著提高器件的紫外发光效率。

关键词： 金属有机化学气相沉积 MOS结构 氧化锌发光器件

作者: 赵旺 赵龙 夏晓川 史志锋 王辉 董鑫 杜国同

作者单位: 集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连 116024 集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连 116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 447-449

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）