GaN基纳米柱LED中的应力弛豫

摘要：

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制各出了直径在100—300nm之间,高度为700nm左右的LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明在纳米柱LED中存在明显的应力弛豫,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰有3nm的蓝移,发光强度增强了4倍。我们通过计算和模拟证实了纳米柱中存在的蓝移现象是由于应力弛豫而不是量子限制效应导致的。

关键词： 纳米LED 氮化镓 化学腐蚀

作者: 朱继红 张书明 王辉 江德生 朱建军 刘宗顺 赵德刚 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 450-452

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）