MgZnO/GaN异质结特性及结构研究

摘要：

目前对MgZnO/ZnO和AlGaN/GaN异质结的研究较多,本文通过理论计算,对比了MgZnO/C-aN、MgznO/ZnO和AlGaN/CraN异质结界面的2DEG浓度,结果表明MgZnO/GaN界面处2DEG浓度大于MgZnO/ZnO和AlGaN/GaN两种异质结。进一步的计算了MgZnO/GaN中不同Mg组分时MgZnO的临界厚度,讨论了MgZnO/GraN异质结MgZnO势垒层厚度和Mg组分的选取,得出控制Mg组分大约0.3,MgZnO厚度30nm以下的结论。

关键词： 2DEG浓度 临界厚度 势垒层厚度 合金组分

作者: 马川 张景文 侯洵

作者单位: 西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 461-464

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）