高性能InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究
本文旨在突破常规材料太阳能电池性能的瓶颈,结合先进的量子点技术,设计并制备了一种新型PIN结构的InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池。实验证明,与单节PIN结构GaAs体材料太阳能电池相比,InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池具有吸收波段宽(>1330nm)、短路电流高(提高约53%)、抗辐射能力强等特点.
太阳能电池 InAs/GaAs量子点 中间能带
杨晓光 杨涛 王科范 季海铭 谷永先 徐鹏飞 王占国
半导体材料科学重点实验室,中科院半导体研究所,北京 100083
国内会议
西安
中文
468-470
2010-10-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)