一种基于GaN HEMT实际特征的高效简易F类功放微带拓扑分析与仿真

摘要：

本文通过对实际GaN并联输出电容及串联电感和串接微带线的考虑，提出一种易实现的功放拓扑结构并通过F类负载控制理论进行理论分析。基于CREE公司GaN HEMT CGH40010实际仿真，在输入为25dBm，偏置为28V，带宽在2.98～3.02GHz时，输出功率高于38.5dBm，功率附加效率优于70％，并且在3GHz时功率附加效率达到73.4％。并且在15～30V的偏置范围内，漏极效率达到70％以上，结构的可行性得到很好验证。

关键词： F类功率放大器 微带 拓扑分析

作者: 雷奇 何松柏 董磊 游飞

作者单位: 电子科技大学集成电路与系统 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统学会第二十二届年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 126-131

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）