一个MOS器件小尺寸效应的三维表面势和阈值电压模型

摘要：

本文基于三维泊松方程的求解，建立了一个小尺寸MOS器件的表面势的三维解析模型和新的阈值电压模型。和以往的一维或二维模型相比，本模型不但能够表述小尺寸MOS器件的短沟道效应和反向窄沟道效应，而且能够准确地反映二者相互耦合的关系。此外，本文还采用Silvaco 3-D半导体器件仿真软件进行了三维数值模拟，并把模拟的结果与模型的解析结果进行了比较，证实吻合得较好。

关键词： 表面势 阈值电压 短沟道效应 反向窄沟道效应

作者: 左磊召 郭宇锋 王厚大 程玮 张锐 花婷婷

作者单位: 南京邮电大学 电子科学与工程学院 南京 210003

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统学会第二十二届年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 323-328

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）