低温漂高电源抑制的CMOS带隙电压基准源
在基于运放的传统带隙基准电压源电路结构的基础上，通过在运放中引入增益提高级，实现了一种用于∑-△A／D转换器的CMOS带隙电压基准源。在一阶温度补偿下实现了较高的电源抑制比(PSRR)和较低的温度系数。该电路采用SIMC 0.18μmCMOS工艺实现。利用Cadence／Spectre仿真器进行仿真，结果表明，在1.8V电源电压下，-40℃～125℃范围内，温度系数为9.699ppm／℃;在27℃下，10Hz时电源抑制比为90.2dB，20KHz时为74.97dB。
带隙基准 CMOS 电源抑制比 温度系数
韩俊 王卫东
桂林电子科技大学 信息与通信学院，广西 桂林 541004
国内会议
上海
中文
352-356
2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）