AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真

摘要：

从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发，采用商用TCAD软件建立AlGaN／GaN HEMT器件二维模型。针对自加热效应，在不同的直流偏置电压下，对AlGaN／GaN HEMT器件进行了二维数值分析，获得相应的热形貌分布。

关键词： AlGaN/GaN HEMT 自加热效应 热分析

作者: 钟红生 张志国 孙玲玲 刘军 董林玺

作者单位: 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州 310018 中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议

会议地点: 浙江

会议语种:中文

页码: 82-85

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）