基于微带线的LDMOS宽带E类功率放大器设计
本文基于微带线宽带匹配技术，设计、仿真并制作了高效率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)宽带E类功率放大器。采用Freescale公司的10W LDMOS晶体管MRF21010进行设计，功放工作频带为1400MHz到1600MHz，相对带宽超过13.3％。测试结果显示，在200MHz的带宽范围内，功放的功率附加效率(PAE)大于56％，输出功率大于38.9dBm，带内最高PAE为64.3％，最高输出功率为40.3dBm。另外，功放在频带1400MHz到1600MHz内，输出功率波动小于1.37dB。
宽带匹配 横向扩散金属氧化物半导体 负载牵引 功率放大器
徐樱杰 朱晓维
东南大学毫米波国家重点实验室,南京,210096
国内会议
浙江
中文
86-90
2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）