3G/LTE应用高线性驱动放大器研制

摘要：

采用21μm GaInP／GaHBT工艺研制了覆盖3G／LTE所有频段的高线性驱动放大器。放大器为1级有源偏置设计，部分输入输出匹配需要在外电路实现，芯片尺寸：0.77mm×0.8mm。在5V、130mA工作状态下，达到:Cain=13.6dB@2.6GHz，OIP3=44dBm@2.6GHz，输出功率1dB压缩点P1dB=25.5dBm@2.6GHz。

关键词： HBT工艺 3G/LTE 高线性驱动放大器

作者: 应海涛 冯爱华 郑远 唐文明 王大方 钱峰

作者单位: 南京电子器件研究所,江苏南京,210016 中兴通讯有限公司,深圳,518001

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议

会议地点: 浙江

会议语种:中文

页码: 132-134

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）