一种新型结构AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN HEMT优化设计
本文对一种新型结构AlxGa1-xN／AlN／GaN／InyGa1-yN／GaNHEMT进行了优化设计。分析了器件中2DEG电子浓度和电子迁移率以及栅漏电流随In含量的变化规律。用器件仿真软件TCAD对栅长0.25um栅宽100um的Al0.3Ga0.7N／AlN／GaN／In0.1Ga0.9N／GaN HEMT进行了优化设计，获得最大跨导为440mS／mm，且在-3.5V～0.5V范围内跨导变化量很小，说明优化后的器件具有良好的线性度。器件的栅压为1V时，阈值电压-5.3V，最大漏电流为2220mA／mm。
氮化镓 HEMT工艺 优化设计 电子迁移率
刘剑 程知群 胡莎 周伟坚
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江,310018
国内会议
浙江
中文
180-183
2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）