高功率、高效率GaN MMIC的研究

摘要：

本文使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT和GaN MMIC。研制的小栅宽器件在频率为8GHz时效率达到60％，利用该器件采用高工作电压，多偏置点提取器件参数技术，建立了基于Materka大信号模型，利用ADS软件进行电路设计与优化。研制X波段GaN MMIC工作频率为7-11GHz，输出功率大于20W，增益大于15dB，效率大于30％。工作频率为7.4GHz时，输出功率最高，达到33.1W，漏极效率最高，达到40.1％。

关键词： 小栅宽器件 GaN MMIC 工作频率 电路设计

作者: 张志国 王民娟 崔玉兴 马杰 李静强 宋建博 冯志红 付兴昌 蔡树军

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议

会议地点: 浙江

会议语种:中文

页码: 184-186

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）