1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器

摘要：

本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益Gp≥36dB，1dB输出功率P-1dB≥37dBm，P-1dB时的功率附加效率PAE≥40％，三阶互调(IMD3)在输出单音功率低于31.2dBm时小于-29.5dBc。

关键词： 功率放大器 GaAs HBT 芯片分析

作者: 郑远 吴健 艾萱 应海涛 陈新宇 钱峰 邵凯

作者单位: 南京电子器件研究所,南京,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议

会议地点: 浙江

会议语种:中文

页码: 281-283

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）