Co离子对纳米掺杂BaTiO3基抗还原介质的影响
本文采用纳米掺杂工艺制备BaTiO3基抗还原介质，重点研究Co离子对介电性能和微观结构的掺杂效应。结果表明，在BT-Y-Mg体系中，添加Co能提高陶瓷致密度(-5.9g/cm3)和晶粒均匀性(-0.5μm)；掺杂Co能促使壳-芯结构形成，由于Co离子扩散将导致晶粒壳增大和芯减小，从而提高室温介电常数并显著改善电容温度稳定性；受主Co离子能有效抑制自由电子浓度，增强抗还原性，降低介质损耗并大幅提升绝缘电阻率。掺杂0.5mol％Co样品性能最佳：K25℃≈3000，tgδ<1.5％，Ri≈10 12Ω·cm，△C/C<±10％达到X7R。
多层陶瓷电容器 钛酸钡 钴 纳米掺杂 抗还原
李波 唐斌 袁颖 周晓华 张树人
电子科技大学微电子与固体电子学院，电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
国内会议
昆山
中文
50-55
2010-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）