会议专题

阴极电沉积法制备Al-Ti复合氧化膜的研究

本文通过阴极电沉积法制备了Al2O3-TiO2(Al-Ti)高介电复合氧化膜,研究了阴极电沉积制备复合膜机理、生长模式以及电沉积电流密度对高纯铝箔比容的影响。实验结果表明:阴极电沉积制得TiO2在铝箔表面呈岛状生长模式,经高温热处理后得到具有锐钛矿结构的高介电TiO2氧化物,阳极氧化后在铝箔表面形成具有高介纳米填隙模式的复合阳极氧化膜。同时,在阴极电沉积电流密度为0.04mA/cm2时,使用该工艺可使铝箔在一定赋能条件下比容提高30%,大大提高了铝电极箔的比容。

阴极电沉积 Al-Ti复合氧化膜 纳米填隙

张宁 邓浩 张睿 冯哲圣

电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

国内会议

中国电子学会第十六届电子元件学术年会

昆山

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60-65

2010-09-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)