a面ZnO薄膜的制备和应力分析

摘要：

本文采用单源化学气相沉积法(SSCVD)法在(012)面Al2O3衬底上制备出a面(110)的非极性ZnO薄膜。分别利用X射线衍射仪(XRD)，扫描电子显微镜(SEM)分别观察样品在各个T艺条件下的的形貌和结构。结果表明：在衬底温度为500℃，沉积时闻为90min条件下制备出最优的a面ZnO薄膜。薄膜是沿垂直于c轴方向生长，消除了斯达克效应(OCSE)，提高了器件性能。由于薄膜生长过程中不可避免会产生内应力，对应力进行了初步的计算，为薄膜的后续优化处理提供技术支持。

关键词： ZnO薄膜 应力分析 单源化学气相沉积法

作者: 田炎磊 李宁 冯国彪

作者单位: 电子科技大学 微电子与固体电子学院，四川 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十六届电子元件学术年会

会议地点: 昆山

会议语种:中文

页码: 84-88

在线出版日期: 2010-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）