低温下CMOS集成电荷灵敏前放噪声特性研究

摘要：

本文采用0.35微米的集成CMOS工艺，设计了一款能在低温下工作的低噪声电荷灵敏前放芯片，并完成了在低温下测试前放芯片的工作。测试结果表明，随着温度降低，CMOS集成电荷灵敏前放的噪声会有明显的改善。在零下55摄氏度时，CMOS集成前放的零电容噪声达到了6.5个电子的水平。

关键词： 集成CMOS工艺 零电容噪声 电荷灵敏前放

作者: 朱雪洲 邓智 罗杰 刘以农 李玉兰 岳骞

作者单位: 清华大学工程物理系 100084 粒子技术与辐射成像教育部重点实验室 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 170-174

在线出版日期: 2010-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）