高纯锗探测器MCNP探测效率刻度模型的建立

摘要：

本文采用MCNP模拟和实验相结合的方法确定高纯锗探测器的死层厚度及冷指尺寸，建立MCNP探测效率刻度模型。该模型对点源的刻度误差在10％左右，对60Co的1332keVγ射线的刻度误差达到了5.69％。就误差水平而言，刻度模型是正确可靠的，可以用于实验测最。同时也论证了此种确定探测器的死层厚度及冷指尺寸的方法是可行的。

关键词： 高纯锗 探测效率刻度 MCNP 死层厚度 冷指尺寸

作者: 周春林 邵永 雷俊牛 黎素芬 张教育 徐振华

作者单位: 第二炮兵工程学院102室 陕西西安 710025

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 219-224

在线出版日期: 2010-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）