硅光电倍增器(SiPM)研究进展
文章对当今弱光探测领域的一个研究热点，具有替代传统光电倍增管潜力的半导体探测器-硅光电倍增器(SiPM)进行了介绍，报道了一种利用衬底体电阻作为淬灭电阻的新结构SiPM的研制结果。这种新结构SiPM的面积为0.5mm×0.5mm，APD单元密度104／mm2，单光子分辨本领良好，增益为1058量级，在460nm波长处的最大探测效率达到25.6％，室温暗计数率为1.5 MHz，光学串话4.2％。实验结果显示，这种新结构SiPM能够较好地缓解现有SiPM存在的高探测效率与高动态范围不能兼得的矛盾，光学串话较小，且制作工艺较为简单。
硅光电倍增器 淬灭电阻 弱光探测 盖革模式
殷登平 胡春周 胡小波 张国青 梁琨 杨茹 韩德俊
北京师范大学核科学与技术学院,北京市辐射中心,北京,100875
国内会议
贵阳
中文
237-242
2010-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）