CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究

摘要：

为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理，对TCD1209线阵CCD进行了能量为1.1MeV的电子辐照实验，共选取了两种不同的电子通量，辐照后对器件进行了常温退火实验，实验过程中考察了CCD受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律，实验结果表明，CCD受电子辐照后主要产生总剂量电离损伤，在不同通量电子辐照下的损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。

关键词： 线阵CCD 电子辐照 总剂量电离效应 时间相关效应

作者: 李豫东 郭旗 陆妩 余学峰 何承发 李茂顺 兰博

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院,北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 537-544

在线出版日期: 2010-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）