SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究

摘要：

本文从FPGA器件内部最丛本的CMOS单元出发，分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系，进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应。 实验结果表明：由于场氧漏电和结构漏电的影响，随着累积剂量的增加输出波形发生畸变，峰峰值变为原来的十分之一左右，但输出波形还有相对的高低电平;同时，输出高电平不能保持原有的状态，迅速地向低电平转换，并且转换速度随着累积剂量的增加而加快，输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄，输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积剂量的变化很小。

关键词： SRAM型FPGA 60Coγ 总剂量辐射损伤效应 CMOS单元

作者: 高博 余学峰 任迪远 李豫东 崔江维 李茂顺 李明 王义元

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 545-550

在线出版日期: 2010-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）