新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型

本文基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法,算法用MATLAB语言实现,与传统算法相比,经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要参数具有一定的物理意义,其他拟合参数值也具有物理量级。模型仿真结果和实测数据拟合度较好,从而验证了所提出的大信号经验电容模型的准确性。
4H-碳化硅 金属半导体场效应晶体管 大信号模型 经验电容模型 遗传算法
刘莹 国云川 黄文
电子科技大学电子工程学院,成都 610054
国内会议
哈尔滨
中文
424-426
2010-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)