浸渍钡钨阴极表面同步辐射光电子谱研究

摘要：

为了解浸渍钡钨阴极表面各元素的化学状态，本文采用同步辐射光电子谱技术对激活前后的阴极表面进行了研究。结果表明，与激活前相比，经1150℃×90min高温激活后，阴极表面吸附层厚度减薄，吸附C完全消失，O含量明显升高，W含量增加1倍，Ba含量增加2倍。另外，阴极表面的O1s、W4f和Ba3d等的谱峰均向高结合能方向显著位移。分析认为，激活后的阴极表面分布的吸附氧，使W基体以及阴极表面的Ba均产生吸附氧化，Ba在阴极表面主要以吸附化合物Bam·On(m≤n)的形式存在。

关键词： 同步辐射光电子谱 浸渍钡钨阴极 结合能 化学位移

作者: 阴生毅 张洪来 奎热西 钱海杰 王嘉欧 王宇 王欣欣

作者单位: 中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京,100190 中国科学院高能物理研究所,北京,100039

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国军事微波会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 701-705

在线出版日期: 2010-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）