一种新型RF MEMS单刀双掷开关的设计与仿真

摘要：

本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RF MEMS单刀双掷开关，利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明：驱动电压为22V，开关时间为22μs，在中心频率30GHz处，开关处于down状态下的插入损耗为0.42dB，回波损耗为43dB，隔离度为29dB：而当开关处于up状态的插入损耗为0.53dB，回波损耗为19dB，隔离度为28dB，该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。

关键词： RF MEMS 单刀双掷开关 单驱动电压 插入损耗 回波损耗 隔离度

作者: 苟元潇 吴群 靳炉魁 陈鹏

作者单位: 哈尔滨工业大学电子与信息工程学院,哈尔滨 150001

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国军事微波会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 345-348

在线出版日期: 2010-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）