La掺杂BiFeO3薄膜巨电致电阻效应的研究
BiFe3是少数在室温下同时具有铁电性和磁性的单相多铁性材料之一,室温下呈反铁磁有序〔奈耳温度为643 K)和铁电有序(铁电居里温度为1103 K),在新型存储器件和自旋电子器件方面都有着广泛的应用前景。BiFe03由于氧空位等缺陷的存在,往往表现出较大的漏电流,如果用La等杂质原子取代BiFe03中的部分Bi,则一方面可以降低样品的漏电流,另一方面也可以改善结晶质量。
BiFeO3薄膜 巨电致电阻效应 镧掺杂
诸葛飞 李蜜 李润伟
中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波,315201
国内会议
第六届全国磁性薄膜与纳米磁学会议暨中国(宁波)第一届磁性材料产业研讨会
宁波
中文
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2010-06-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)