高质量GaN自支撑层的制备研究进展
介绍了GaN材料具有禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度大、介电常数小、化学性质稳定和机械性能好等特点，使其在从蓝绿到紫外波段的LED器件，紫外探测器，外空间和海底通讯，电子器件以及特殊条件下的半导体器件等领域有着广泛的应用前景。总结了GaN体单晶制备技术和三种主要外延生长技术(MOCVD、MBE、HVPE)及外延生长存在的问题。氢化物气相外延(HVPE)具有设备简单、成本低、生长速度快等优点是制备高质量氮化镓(GaN)自支撑层最有希望的方法，描述了氢化物气相外延技术原理，分析了HVPE制备GaN自支撑(freestanding)层的方法，综述了高质量GaN自支撑层制备国内外研究进展，并指出今后研究方向。
CaN 自支撑层 氢化物气相外延 金属有机化学气相沉积
崔林 张化宇 汪桂根
哈尔滨工业大学 深圳研究生院,广东 深圳 518055
国内会议
深圳
中文
17-21
2010-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）