Si衬底GaN电镀金属基板LED芯片性能研究

摘要：

通过电镀的方法将Si衬底GaN LED薄膜分别转移至铜铬、铜镍基板上，并制备成不同电镀基板的LED芯片。研究发现，铜镍基板LED芯片较铜铬基板droop效应得到改善，说明铜镍基板LED芯片具有更好的散热性能;高分辨XRD结果显示铜铬基板LED薄膜受残余张应力作用，而铜镍基板LED薄膜则受压应力作用。表明在LED工作状态下铜镍基板LED芯片具有更优良的力学性能;铜镍基板LED芯片的波长漂移较铜铬基板更小，且经过900mA常温老化192h后，芯片电学性能稳定。结果表明，铜镍基板LED芯片较铜铬基板具有更优良的力、热、光、电特性。

关键词： 氮化镓 发光二极管 电镀基板 硅衬底

作者: 王光绪 熊传兵 汪延明 肖宗湖 张萌 江风益

作者单位: 南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047 南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047 晶能光电(江西)有限公司,南昌 330029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国LED产业研讨与学术会议(2010’LED)

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 43-45

在线出版日期: 2010-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）