Si衬底InGaN大功率LED芯片制备

摘要：

通过衬底图形化技术，在Si(111)衬底上生长了厚度大于4μm无裂纹的GaN薄膜。采用特殊的AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多层缓冲技术，GaN/Si薄膜的位错密度可以低于5×108/cm2。通过衬底转移成功制备了具有垂直薄膜结构的大功率LED芯片。经测试，Si衬底上制备的1mm×1mm大功率LED芯片封装后，在350mA下光输出功率达到480mW，封成白光在350mA下光通量达到116.7lm。1mm×1mm裸芯片在900mA下老化1000h，光衰小于5％。

关键词： 发光二极管 硅衬底 氮化镓 锢镓氮 半导体照明

作者: 王立 江风益 莫春兰 熊传兵 汤英文 刘军林 方文卿 王小兰 刘卫华 周印华

作者单位: 南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047 晶能光电(江西)有限公司,南昌 330029 晶能光电(江西)有限公司,南昌 330029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国LED产业研讨与学术会议(2010’LED)

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 46-48,74

在线出版日期: 2010-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）