监控用850 nm大功率红外芯片及其产业化

摘要：

就监控用850nm大功率红外芯片的研制及其产业化进行了探讨。针对该芯片之外延材料与传统的遥控用(940nm)窗口型/非窗口型小功率红外芯片之外延材料的不同特征以及GaAlAs 850nm红外芯片在研发、生产制造过程中存在的欧姆接触、表面损伤、功率衰减及提高该芯片发光功率等问题进行分析阐述，并在产业化生产制造进程中逐一解决。目前该850nm大功率红外LED芯片已应用于监控系统并实现产业化生产。

关键词： 850 nm大功率红外芯片 电极制备 表面损伤 功率衰减 产业化

作者: 黄建民 周力

作者单位: 南昌欣磊光电科技有限公司,南昌 330012

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国LED产业研讨与学术会议(2010’LED)

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 52-53,100

在线出版日期: 2010-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）