三元GaAsP发光二极管铝电极芯片的制造技术研究
针对目前行业内三元GaAsP黄色、橙色和琥珀色发光二极管(LED)金电极产品工艺成熟,而铝电极工艺欠缺,专门对三元GaAsP铝电极芯片进行摸索试验,结果在保持外延层结构不变的前提下,制造出三元铝电极芯片并且显著提高了发光二极管(LED)芯片的出光效率。该工艺的技术特征在于制作铝PAD之前,先对芯片发光表面进行处理,使光线从内部经由发光面均匀地折射出来;并在完成铝PAD电极制作后,先对PAD电极进行保护,再对发光二极管(LED)芯片侧面进行处理,使得光线从内部经由侧面均匀地折射出来。从而在保持外延层结构不变的前提下显著提高了发光二极管(LED)芯片的出光效率。
GaAsP 铝电极 漫反射表面 均匀折射 出光效率
杨彦霞 李有群 岳建水
上海大晨光电科技有限公司,上海 201206
国内会议
深圳
中文
54-57
2010-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)