Si衬底功率型绿光LED光电性能及其可靠性研究

摘要：

介绍了Si衬底GaN基功率型绿光LED器件最新研究进展。芯片尺寸为500μm×500μm的功率型绿光LED，采用硅胶封装后，在正向60mA电流下，工作电压为3.37V，主波长520nm，光功率23mW。对该批次样管的裸芯在常温200mA下加速老化2005h，老化前后的开启电压及在60mA下的工作电压变化均小于0.1V，老化光衰为7％。

关键词： 硅衬底 氮化镓 绿光发光二极管 功率型 可靠性

作者: 程海英 毛清华 汤英文 江风益

作者单位: 南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047 晶能光电(江西)有限公司,南昌 330029 南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国LED产业研讨与学术会议(2010’LED)

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 194-196

在线出版日期: 2010-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）