等离子体活性烧结纳米碳化硅涂层的实验研究

摘要：

利用减压等离子体活性烧结制备了碳化硅涂层。研究了不同等离子体气流流量、真空室压力、电源功率、基板距离等工艺参数组合对涂层质量的影响规律。通过正交实验确定了优化工艺参数组合，在Φ50mm以及50×50mm的较大石墨基板上获得了厚度和成分均匀，结合良好的SiC涂层。沉积速率高达20μm/min。利用小型电弧等离子体风洞对制备的涂层进行了烧蚀实验，结果表明所制备的涂层在有氧高温高速气流环境下无剥落，可有效保护基体石墨。

关键词： 减压等离子体活性烧结 碳化硅涂层 高速沉积 气流流量 真空室压力 基板距离 烧蚀实验

作者: 黄河激 付志强 潘文霞 吴承康

作者单位: 中国科学院力学研究所等离子体与燃烧中心，北京海淀区 100190 中国科学院高超声速科技中心，北京海淀区 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国高超声速科技学术会议

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2010-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）