功率半导体器件的直接均流技术

摘要：

在认真研究双极注入型功率半导体器件通态特性的基础上,结合装置整机厂的并联技术经验,从器件角度,提出了功率半导体器件的直接均流技术,这一技术已得到了成功验证。

关键词： 双极注入 功率半导体器件 通态特性 门槛电压 直接均流技术

作者: 高占成 矫健 揣荣岩 潘福泉

作者单位: 北京东菱宏博电气科技发展有限公司 北京 100054 北京东菱宏博电气科技发展有限公司 北京 100054 沈阳工业大学信息科学与工程学院 沈阳 110870 沈阳工业大学信息科学与工程学院 沈阳 110870

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 1-9

在线出版日期: 2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）