高压碳化硅结型场效应晶体管特性分析

摘要：

提出了高压自关断电力半导体器件的开关速度、耐压、导通电压之间的矛盾。简要的分析了碳化硅JFET的基本原理。分析了碳化硅JFET的主要参数,表明碳化硅JFET具有优异的开关特性和导通电压降；分析了碳化硅JFET的特性曲线；推荐了碳化硅JFET的驱动要点、驱动方式和推荐的驱动电路。

关键词： 高压自关断 电力半导体 碳化硅 结型场效应晶体管 开关特性 导通电压降 驱动电路

作者: 陈永真 王春霞

作者单位: 辽宁工业大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）