一种波状p基区IEC-GCT的特性分析

摘要：

本文在传统的注入效率可控的(IEC)-GCT 结构中,通过n 扩散层的掩蔽作用引入了一种波状的p 基区结构。利用ISE 软件模拟了该波状p 基区IEC-GCT 器件在常温和高温下的静、动态特性,并与传统的IEC-GCT 器件进行了比较分析。最后讨论了器件的制作工艺和关键参数的设计方法。结果表明,该波状p 基区IEC-GCT 器件不仅具有比传统的 IEC-GCT 更优良的通态特性和关断特性,而且制作工艺简单。

关键词： 电力半导体器件 门极换流晶闸管 注入效率 波状p基区 制作工艺

作者: 王彩琳 付凯 高勇

作者单位: 西安理工大学电子工程系,西安 710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）