基于扩散/外延技术高压大功率NPN开关晶体管技术研究

摘要：

目前,制造高压N-/N+材料有三种方法：硅-硅键合技术、扩散减簿技术和外延技术。本文用扩散减簿技术和外延技术研制出了适于400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管（GiantTransistor,简称GTR）的材料。通过工艺技术加工,研制出400V/500A的大功率晶体管。通过电参数测试：VceR≥400V,Veb0≥8V,在Ib=10A条件下测试,外延材料晶体管的Ic达到173A；扩散材料晶体管的Ic达到134A。

关键词： 大功率晶体管 开关晶体管 扩散减簿 外延技术 电参数测试

作者: 陈思敏 刘道广 周伟松 王均平 黄新 张斌 王培清

作者单位: 清华大学电力电子厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 1-2

在线出版日期: 2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）