基于微电子技术的高压大功率NPN开关晶体管技术研究

摘要：

本文基于微电子技术开发研制出了400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管（Giant Transistor,简称GTR）。通过电参数测试：VceR≥400V,Vebo≥8V,在Ib=10A条件下测试,Ic最大达到173A。

关键词： 微电子技术 大功率晶体管 开关晶体管 电参数测试

作者: 刘道广 陈思敏 周伟松 王均平 黄新 张斌 王培清

作者单位: 清华大学电力电子厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 1-2

在线出版日期: 2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）