4H-SiC浮结型肖特基势垒二极管的数值模拟

摘要：

本文采用数值模拟的方法对4H-SiC 浮结肖特基势垒二极管的静态及动态特性进行了研究。该器件可以在保证高的反向耐压的同时使正向导通电阻最小化,较好的解决了常规器件正向导通电阻和反向耐压间的矛盾。模拟结果表明,相同条件下增加浮结使得击穿电压由2800V 增加到4000V。反向恢复特性表明器件具有软恢复特性,软度因子为0.949。

关键词： 4H-SiC浮结 肖特基势垒二极管 软度因子 数值模拟

作者: 曹琳 蒲红斌 周少将 胡永涛

作者单位: 西安理工大学自动化系,西安 710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 1-3

在线出版日期: 2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）