4H-SiC晶闸管的光触发可行性及特性
在一个已研制成功的电触发4H-SiC晶闸管的结构基础上,利用计算机模拟研究了在取消门极触发电路的情况下,其正向阻断电压随光照条件的变化,从而探讨其实现光控的可行性。结果表明,为使该器件实现光触发,须使用波长不长于350mm光源,最低触发光强度随其正向阻断电压的升高而减小。对一个正向额定阻断电压为780V的器件,其触发光强须不小于50μW/cm2。对光照门极的直接光触发方式和用光电二极管的光电流触发晶闸管的间接光触发方式进行的比较表明,在光源及其辐照强度相同的情况下,直接触发比间接触发灵敏度更高。
SiC光控晶闸管 光触发 可行性
刘文涛 张婷婷 陈治明
西安理工大学自动化学院电子工程系,西安 710048 西安电力电子技术研究所,西安 710061
国内会议
哈尔滨
中文
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2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）