掺钠工艺对聚酰亚胺衬底Cu(In，Ga)Se2薄膜特性的影响

摘要：

在柔性聚酰亚胺(polyirnjde，PI)衬底上生长Cu(In，Ga)Se2(CIGS)薄膜，Na的掺入会对薄膜的特性有重要的改善作用。本文研究了掺Na工艺对CIGS薄膜特性的影响。根据XRD数据及电学参数分析发现，采用前掺Na工艺会影响CIGS薄膜中In、Ga原子的扩散，呈现出双峰分离，即高Ga相与与低Ga相分离;而采用后掺Na工艺，则没有此种现象。

关键词： 聚酰亚胺 柔性衬底 低温沉积 掺钠工艺 电学参数 铜铟镓硒薄膜

作者: 何静婧 刘玮 姜伟龙 逢金波 孙云

作者单位: 南开大学信息技术科学学院光电子研究所,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 769-771

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）