Cu(In，Ga)Se2太阳电池中Ga含量梯度分布的研究

摘要：

本文利用传统的共蒸发三步法制备了Cu(In，Ga)Se2(CIGS)薄膜，通过优化金属镓(Ga)的蒸发温度，得到了合适的Ga的梯度分布，从而使电池的开路电压Voc在提高的同时，最大限度地减小了Jsc的损失。 优化后薄膜表面的结晶情况得到改善，电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高。量子效率测试发现，优化后的CIGS太阳电池在较长波段中(520～1 100 nm)的光子吸收损失大大减小。

关键词： 铜铟镓硒薄膜 太阳电池 Ga梯度分布 二极管特性 量子效率吸收 共蒸发三步法

作者: 刘芳芳 孙云 王赫

作者单位: 南开大学信息技术科学学院光电子研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 777-780

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）