低温生长CuIn1-χGaχSe2薄膜太阳电池主要复合路径分析
本文采用低温三步法制备半导体黄铜矿CuIn1-χGaχSe2(CIGS)薄膜。即第一步衬底温度为350℃，第二、三步均为450℃。以CIGS薄膜为吸收层制备结构为SLG/Mo/CIGS/CdS/ZnO/ZnO：Al/Ni-Al的太阳电池。其中p型CIGS与n型CdS形成异质结界面。通过分析太阳电池的变温电压一电流(JVT)特性曲线，求得激活能。同时结合品质因子与温度曲线的响应关系，并采用异质结隧穿增强的复合模型，拟合出特征隧穿能和缺陷分布特征能，最终确定了影响低温制备的CIGS器件电特性的主要复合机制，对于加深该器件的电输运理解起到积极作用。
太阳电池 铜铟镓硒薄膜 吸收层 复合路径 低温三步法 温度曲线
刘玮 姜伟龙 逢金波 何青 孙云
南开大学信息学院光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,300071
国内会议
南京
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781-784
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）