衬底温度对Ga2Se3化合物薄膜的成分及结构的影响
衬底温度是影响薄膜形成和相变过程的一个重要参量，它直接关系到薄膜的成分和结晶质量。不同的衬底温度，(Ga，Se)化舍物具有不同的晶体结构和复杂的相变过程。本文使用蒸发工艺在不同村底温度下制备((Ga，Se)二元化合物薄膜。通过台阶仪、X射线荧光光谱(XRF)。扫面电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析了薄膜的厚度、成分、形貌及结构特性。实验发现，所制备的薄膜均为Ga2Se3相。衬底温度超过450℃后，其厚度明显变小，随着衬底温度的继续增加，Ga/Se的摩尔比值逐渐减小。在薄膜结构方面，衬底温度高于500℃，Ga2Se3薄膜由单斜相向四方相转变，且晶粒尺寸明显变大。因此，在较高的衬底温度下，选择适当的元素蒸发速率，可以得到适合于制备CGs/CIGS吸收层的预置层薄膜。
单斜晶系 四方晶系 择优取向 化合物薄膜 衬底温度 元素蒸发速率
王赫 张毅 李博研 刘玮 孙云
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071
国内会议
南京
中文
785-788
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）