GaSb薄膜特性的研究

摘要：

GaSb的禁带宽度是0.72eV，为低禁带半导体，是红外探测器和光伏电池的主要材料。用传统的方法获得GaSb电池的代价很高。本文采用共蒸发的方法在衬底上成功制备Gasb薄膜。分别对在相同蒸发源反应温度，不同衬底上得到的GaSb薄膜以及相同村底，不同蒸发源反应温度下得到的薄膜分别进行XRD以及红外光谱分析，得出不同衬底和温度的变化对薄膜择优取向和晶粒尺寸的影响，寻求制备GaSb薄膜的最佳条件。

关键词： 共蒸发 择优取向 晶粒尺寸 禁带宽度 GaSb薄膜

作者: 阮建明 隋妍萍 蔡宏琨 乔在祥 张德贤

作者单位: 南开大学电子科学与微电子系,天津 300000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 797-800

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）