PECVD生长硅纳米线太阳能电池

摘要：

采用PECVD技术在柔性不锈钢衬底上制备径向p-i-n硅纳米线(Silicon Nanowires-SiNWs)太阳能电池以及硅薄膜电池。电流一电压测试表明硅纳米线电池的开路电压为0.57 V，短路电流密度为20.23 mA/cm2、转化效率达3.83％。与硅薄膜电池相比，硅纳米线电池电流密度显著提高，我们将其归因于硅纳米线电池具有较低的光反射，因而能更充分吸收太阳光。

关键词： 硅纳米线 反射率 太阳能电池 柔性不锈钢衬底 硅薄膜电池

作者: 谢小兵 曾湘波 姚文杰 刘石勇 彭文博 肖海波 王超 朱洪亮

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 805-808

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）