低倍聚光条件下常规单晶硅电池发射极电阻的数值分析
本文通过数值分析，计算模拟了单晶硅电池在低倍聚光下的发射极的电流密度和电势分布，在计算中考虑了发射极电流密度的不均匀性，并与假设电流密度均匀的近似算法做比较，发现在1个太阳的光照下，两种方法的计算结果几乎相同。但是随着聚光倍数的增加，区别会变大。并且基于这种模型，计算了低倍聚光下，栅线设计与薄层方块电阻对发射级内电流密度及电势的影响，为设计低倍聚光电池提供理论参考。
太阳电池 低倍聚光 发射极电阻 单晶硅
葛文君 舒碧芬 梁齐兵 郑海兴
中山大学太阳能系统研究所,广州 510006
国内会议
南京
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838-841
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）