低温RF-PECVD沉积非晶硅锗及其太阳电池的研究

摘要：

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，衬底温度在180℃沉积非晶硅锗薄膜材料及太阳电池。本文研究了反应气体中的锗。

关键词： 非晶硅锗 低温沉积 锗烷浓度 太阳电池 化学气相沉积 衬底温度 薄膜材料

作者: 王先宝 张建军 倪牮 曹字 李超 耿新华 赵颖

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 1510-1513

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）